Чепурнов Виктор Иванович

Основные труды


1. Высокотемпературные полупроводниковые датчики деформации и температуры. Комов А.Н., Колесникова А.А.,Щербак А. // Доклады Международной научно-технической конференции «Датчики и системы – 2005» (ДиС-2005), Пенза, 2005.

2. Безынерционные датчики СВЧ сигналов больших уровней мощности. Яровой Г.П., Комов А.Н., Колесникова А.А.// Доклады Международной научно-технической конференции «Датчики и системы – 2005» (ДиС-2005), Пенза, 2005.

3. Высокотехнологический способ получения и исследование свойств карбидокремниевых структур на кремниевой подложке. Яровой Г.П., Комов А.Н., Покоева В.А.// Отчет о научно-исследовательской работе, Самара, 2005

4. Оптимизация технологических процессов формирования чувствительных элементов датчиков. Яровой Г.П., Комов А.Н., Покоева В.А. и др.// Отчет о научно-исследовательской работе, Самара, 2005

5. Патент на полезную модель «Волновая измерительная головка с датчиком Холла. Комов А.Н., Колесникова А.А.,Щербак А.В.- Патент на полезную модель заявка № 2006116771/22(01836) от 15.05.2006г. Патент на изобретение «Волновая измерительная головка с датчиком Холла» Комов А.Н., Колесникова А.А.,Щербак А.В. № 2311649 от 27.11.2007г.

6. Анализ точечного дефектообразования в гомогенной фаза SiC формирующейся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC/Si . Сивакова К.П.// Вестник СамГУ № 9 (49) – Самара, из-во «Самарский университет» 2006.- с.72-91.

7. Распределение наноразмерных точечных дефектов в процессе формирования гомогенной фазы карбида кремния на кремнии. Сивакова К.П.// Образование, наук а, инновации – вклад молодых исследователей: материалы II (XXXIV) Международной научно-практической конференции (Кемеровский гос. университет) – Кемерово: ООО «ИНТ», вып.8, т.2, 2007.с.148-151.

8. Дефекты наноразмерного уровня в гомогенной области β-SiC гетероструктуры β-SiC-Si. Сивакова К.П. // Тезисы докладов VII Международной конференции «Химия т Тезисы докладов VII Международной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» – Кисловодск–Ставрополь, СевКавГТУ, 2007. с.317-320.

9. Распределение наноразмерных точечных дефектов в процессе формирования гомогенной фазы карбида кремния на кремнии. Сивакова К.П. //Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП–10): доклады X Международной конференции 10–12 октября 2007 г. в 2 т. (ГОУ ВПО КемГУ) – т. 2. – Кемерово: Кузбассвузиздат, 2007. с.380-384

10. Формирующиеся в процессе эндотаксии гетероструктуры SiC/Si. Сивакова К.П.// Нанотехнологии (Том 1) Сборник докладов Харьковской нанотехнологической ассамблеи-2008). — Харьков: ННЦ «ХФТИ», 2008.с.117-121.

11. Наноразмерные дефекты в полупроводниковой гетероструктуре β-SiC-Si. Сивакова К.П. // Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы: Труды выездного заседания Х международной конференции. – Ульяновск: УлГУ, 2008. с.71-76.

12. Распределение точечных дефектов различной природы в гетероструктуре β-SiC-Si. Сивакова К.П.// Программа и тезисы докладов ХХ Совещания по использованию рассеяния нейтронов в исследованиях конденсированного состояния (РНИКС–2008), 13 – 19 октября 2008 г., – Гатчина, ПИЯФ.с.52

13.Исследование путей создания компонентов многофункциональных цифровых датчиков на основе карбида кремния. Яровой Г.П., Комов А.Н., Сивакова К.П., Кузнецов К.В., Щербак А.// ДСП рег. номер 1603714 от 06.06.2005.126с.

14. Разработка нового способа получения гетероструктур для приборов высокотемпературной электроники. Кузнецов К.В., Комов А.Н., Сивакова К.П.// Отчет о научно-исследовательской работе, Самара, рег. номер 0120.0 504253 от 30.04.2008.219 с.

15. Модель явлений переноса в системе Si-C-H при гетероэндотаксии структур SiC/Si. Сивакова К.П. //Вестник СамГУ № 6 – Самара, из-во «Самарский университет» 2008. с.367-378.

16. Влияние легирующей примеси на распределение точечных дефектов в гетероструктуре SiC/Si. Комов А.Н., Сивакова К.П. // Вестник СамГУ № 6 – Самара, из-во «Самарский университет» 2008. с.352-366.

17. Получение тонких пленок методом магнетронного распыления на постоянном токе. Сивакова К.П. - Методические указания по выполнению лабораторных работ «Самарский университет», 2007. 24с.

18. Диффузионные процессы в микроэлектронной технологии. Повоева В.А., Сивакова К.П. - Учебное пособие «Самарский университет», 2008. 48с.

19. Определение плотности дислокаций в полупроводниковых структурах. Сивакова К.П. - Методические указания по выполнению лабораторных работ «Самарский университет», 2009. 14с.

20. Эпитаксия в микроэлектронике.Сивакова К.П. - Учебное пособие «Самарский университет», 2009.47 с.

21. Разработка технологических принципов создания карбидокремниевых электронных компонентов, изготовление и испытание макетов датчика измерения мощности СВЧ-сигналаЯровой Г.П. Комов А.Н. Покоева В.А. Колесникова А.А. Щербак А.В. // Отчет о НИР №рег.03/ 2005 г.Самара 2005. 205с.

22. Исследование путей создания компонен-тов многофункцио-нальных цифровых датчиков на основе карбида кремния. Яровой Г.П., Комов А.Н., Сивакова К.П., Кузнецов К.В., Щербак А.В // Отчет по научно-исследовательской работе ДСП рег. номер 1603714 от 06.06.2007г.126с.

23. Разработка нового способа получения гетероструктур для приборов высокотемпературной электроники. Кузнецов К.В., Комов А.Н., Сивакова К.П.// Отчет о научно-исследовательской работе, Самара, рег. Номер0120.0 504253 от 30.04.2008. 219с.

24. Дефектообразование в полупроводниковых структурах на примере P-SiC-Si. Колесникова А.А// Тезисы доклада. Концепции симметрии и фундаментальных полей в квантовой физике XXI века» ("Concepts of Symmetry and Fundamental Fields in Quantum Physics of the XXIst century"). Самара, 2005, с13-14.

25. Формирование омических контактов на основе Ni к гетероструктурам P-n-SiC/Si Колесникова А.А.,Щербак А.В //Тезисы доклада Межрегиональная конференция «Материалы нано-, микро- и оптоэлектро-ники: физические свойства». Саранск, 2005, с.113-114.

26. Патент на изобретение «Способ самоорганизующейся эндотаксии моно3С-SIC на SI-подложке» № 2370851 от 20.10.2009г.

27. Особенности наноточечного дефектообразования в структуре por-SIC/SI, полученной по диффузионной технологии для химических сенсоров. Сивакова К.П., Ерошкин А.А. // Вестник СамГУ, естественно-научная серия, 2011, №2(83), с.179-183.