Министерство образования и науки РФ

федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение

высшего профессионального образования

«Самарский государственный университет»

 

 

 

 

                                                «Утверждаю»

                                                                             Проректор по научной работе

 

                                                                  ___________ А.Ф.Крутов

                                                                                                      _____________ 2011 г.

 

 

 

 

 

Образовательная программа

послевузовского профессионального образования

по специальности 01.04.10

Физика полупроводников

 

 

 

по отрасли  01.00.00

Физико-математические науки

 

 

 

Присуждаемая ученая степень

Кандидат  наук

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Самара 2011


1.      ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

ПОСЛЕВУЗОВСКОГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ПО ОТРАСЛИ

 

Физико-математические науки

 

 

1.1. Ученая степень, присуждаемая при условии освоения основной образовательной программы подготовки аспиранта и успешной защиты квалификационной работы (диссертации на соискание ученой степени кандидата наук) ‑ кандидат наук.

Нормативный срок освоения основной образовательной программы послевузовского профессионального образования (подготовки аспиранта (адъюнкта), далее по тексту - подготовки аспиранта) по отрасли Физико-математические науки при очной форме обучения составляет 3 года.

Нормативный срок подготовки аспиранта по отрасли Физико-математические науки при заочной форме обучения составляет 4 года.

В случае досрочного освоения основной образовательной программы подготовки аспиранта и успешной защиты диссертации на соискание ученой степени кандидата наук аспиранту присуждается искомая степень независимо от срока обучения в аспирантуре.

 

1.2. Цели аспирантуры.

Цель аспирантуры - подготовка научных и научно-педагогических кадров высшей квалификации физико-математического профиля для науки, образования, промышленности.

Целями подготовки аспиранта, в соответствии с существующим законодательством, являются:

– формирование навыков самостоятельной научно-исследовательской и педагогической деятельности;

– углубленное изучение теоретических и методологических основ физико-математических наук;

– совершенствование философского образования, в том числе ориентированного на профессиональную деятельность;

– совершенствование знаний иностранного языка, в том числе для использования в профессиональной деятельности.

 

Квалификационная характеристика выпускника аспирантуры:

Выпускники аспирантуры являются научными кадрами высшей квалификации, способными самостоятельно ставить и решать научные и производственные проблемы, а также проблемы образования в различных областях математики, механики и физики. Выпускники аспирантуры могут занимать руководящие должности (при наличии необходимого стажа и опыта организационной работы) и должности в высших учебных заведениях, академических и ведомственных научно-исследовательских организациях, частных и государственных компаниях, учреждениях системы среднего профессионального и школьного образования.

 

1.3. Паспорт специальности 01.04.10 – Физика полупроводников

Шифр специальности: 01.04.10 Физика полупроводников

 

Формула специальности:

 

"Физика полупроводников" – область фундаментальной и прикладной науки и техники, включающая экспериментальные и теоретические исследования физических свойств полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе (включая гетероструктуры, МОП структуры и барьеры Шоттки), а также происходящих в них физических явлений, разработку и исследование технологических процессов получения полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, создание оригинальных полупроводниковых приборов и интегральных устройств. Значение научных и технических проблем для народного хозяйства, решаемых в рамках специальности, состоит в развитии физических принципов работы, технологий изготовления и реализации электронных и оптоэлектронных полупроводниковых приборов и интегральных устройств, используемых практически во всех областях человеческой деятельности.

Область исследования:

1. Физические основы технологических методов получения полупроводниковых материалов, композитных структур, структур пониженной размерности и полупроводниковых приборов и интегральных устройств на их основе.

2. Структурные и морфологические свойства полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе.

3. Примеси и дефекты в полупроводниках и композитных структурах.

4. Поверхность и граница раздела полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, контактные явления.

5. Электронные спектры полупроводниковых материалов и композиционных соединений на их основе.

6. Электронный транспорт в полупроводниках и композиционных полупроводниковых структурах.

7. Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и в композиционных полупроводниковых структурах.

8. Спонтанная и стимулированная люминесценция в полупроводниковых материалах и композитных структурах, полупроводниковые лазеры и светоизлучающие устройства.

9. Неравновесные явления в полупроводниках и структурах. Электронная плазма.

10. Акустические и механические свойства полупроводников и композиционных полупроводниковых структур.

11. Динамика кристаллической решетки. Электрон-фононное взаимодействие.

12. Многочастичные взаимодействия в полупроводниках и композитных структурах.

13. Транспортные и оптические явления в структурах пониженной размерности.

14. Мезоскопические явления в полупроводниках и композитных структурах.

15. Некристаллические полупроводники. Органические полупроводники. 16. Магнитные полупроводники.

17. Моделирование свойств и физических явлений в полупроводниках и структурах, технологических процессов и полупроводниковых приборов. 18. Разработка физических принципов работы и создание приборов на базе полупроводниковых материалов и композиционных полупроводниковых структур.

19. Разработка методов исследования полупроводников и композитных полупроводниковых структур.

Смежные специальности: Смежными специальностями считать следующие: 01.04.04 – "Физическая электроника". 01.04.05 – "Оптика". 01.04.07 – "Физика конденсированного состояния". 01.04.09 – "Физика низких температур". 01.04.11 – "Физика магнитных явлений". 01.04.21 – "Лазерная физика". 02.00.21 – "Химия твердого тела". 05.09.12 – "Силовая электроника". 05.11.01 – "Приборы и методы измерения по видам измерений". 05.11.07 – "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы". 05.11.10 – "Приборы и методы для измерения ионизирующих излучений и рентгеновские приборы". 05.11.13 – "Приборы и методы контроля природной среды, веществ, материалов и изделий". 05.11.16 – "Информационно-измерительные и управляющие системы (по отраслям)". 05.11.17 – "Приборы, системы и изделия медицинского назначения". 05.11.18 – "Приборы и методы преобразования изображений". 05.13.05 – "Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления". 05.17.01 – "Технология неорганических веществ". 05.27.01 – "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника на квантовых эффектах". 05.27.03 – "Квантовая электроника". 05.27.06 – "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники".

Отрасль наук: технические науки( За исследования по п. 1, 8,17,18,19) физико-математические науки (Во всей области исследований.)

 

2.  ТРЕБОВАНИЯ К УРОВНЮ ПОДГОТОВКИ, НЕОБХОДИМОМУ

ДЛЯ ОСВОЕНИЯ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА И УСЛОВИЯ КОНКУРСНОГО ОТБОРА

 

2.1. Лица, желающие освоить основную образовательную программу подготовки аспиранта по данной отрасли наук, должны иметь высшее профессиональное образование по специальностям или направлениям подготовки в соответствии с таблицей:

 

Код

(шифр) науч-ной спец-ти

Шифр специальностей научных работников

Наименование направления подготовки магистра и/или магистерских программ

Наименование специальностей и/или направление подготовки дипломированного специалиста

01.04.10

Физика полупроводников

510400 Физика

511600 Прикладная математика и физика

540200 Физико-математическое образование

550700 Электроника и микроэлектроника

553100 Техническая физика

010100 Математика

010400 Физика

010700 Физика атомного ядра и частиц

014100 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы

 

2.2. Лица, имеющие высшее профессиональное образование, принимаются в аспирантуру по результатам сдачи вступительных экзаменов на конкурсной основе. По решению экзаменационной комиссии лицам, имеющим достижения в научно-исследовательской деятельности, отраженные в научных публикациях, может быть предоставлено право преимущественного зачисления.

2.3. Порядок приема в аспирантуру и условия конкурсного отбора определяются действующим Положением о подготовке научно-педагогических кадров и научных кадров в системе послевузовского профессионального образования в Российской Федерации.

2.4. Программы вступительных испытаний в аспирантуру разработаны Самарским государственным университетом в соответствии с государственными образовательными стандартами высшего профессионального образования.

 

  1. ОСНОВНАЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТОВ ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ

 

01.04.10 – Физика полупроводников

3.1.             Основная образовательная программа подготовки аспирантов реализуется на основании лицензии на право ведения образовательной деятельности в сфере послевузовского профессионального образования Самарским государственным университетом.

Образовательная программа послевузовского профессионального образования включает в себя учебный план, рабочие  программы дисциплин (модулей), программы практики, обеспечивающие реализацию соответствующей образовательной технологии*(1).
3.2. Образовательная программа послевузовского профессионального образования имеет следующую структуру:
3.3. Образовательная составляющая, включающая следующие разделы:
Обязательные дисциплины (ОД. А.00);
Факультативные дисциплины (ФД.А.00);
Практика (П.А.00).
3.4. Исследовательская составляющая, включающая следующие разделы:
Научно-исследовательская работа аспиранта и выполнение диссертации на соискание учёной степени кандидата наук (НИР.А.00);
Кандидатские экзамены (КЭ.А.00);
Подготовка к защите диссертации  на соискание ученой степени кандидата наук (ПД.А.00).
4. Нормативный срок освоения образовательной программы послевузовского профессионального образования в очной форме обучения не может превышать три года, в заочной форме - четыре года.
5. Трудоемкость освоения образовательной программы послевузовского профессионального образования (по ее составляющим и их разделам):
 

 

 

 

4.        ТРЕБОВАНИЯ К СОДЕРЖАНИЮ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ

01.04.10 – Физика полупроводников

 

Индекс

Наименование дисциплины

Объем  вчасах

ауд./внеаудит.

ОПД.АФ.00

Образовательно-профессиональные дисциплины подготовки аспиранта *

480

100/380

ОПД.АФ.01

Иностранный язык

100

50/50

ОПД.АФ.02

История философии науки

100

50/50

ОПД.АФ.03

Дисциплины научной специальности:

 

-          химическая связь и атомная структура полупроводников;

-          основы технологии полупроводников и методы определения их параметров;

-          основы зонной теории полупроводников;

-          равновесная статистика электронов и дырок в полупроводниках;

-          кинетические явления в полупроводниках;

-          рекомбинация электронов и дырок  в полупроводниках;

-          контактные явления в полупроводниках;

-           свойства поверхности полупроводников;

-          оптические явления в полупроводниках;

-          фотоэлектрические явления;

-          некристаллические полупроводники;

-          полупроводниковые структуры пониженной размерности и сверхрешетки;

-          принципы действия полупроводниковых приборов.

0/280

ПП.А.00

Педагогическая практика

100

ФД.А.00

Факультативные дисциплины **

500

Итого времени на освоение образовательной компоненты программы:

1080 часов

(20 недель)

НИР.А.00

Научно-исследовательская работа, включая выполнение кандидатской диссертации

110 недель

ИА.А.00

Итоговая аттестация***

 

ИА.А.01

Кандидатский экзамен по иностранному языку

 

ИА.А.02

Кандидатский экзамен по истории философии науки

 

ИА.А.03

Кандидатский экзамен по специальности 01.04.07

 

ПД.А.00

Подготовка к защите диссертации на соискание ученой степени кандидата наук

10 недель

Итого времени на научно-исследовательскую работу и подготовку диссертации:

120 недель
(6480 час.)

 

Примечания:

*       Лица, сдавшие кандидатские экзамены по иностранному языку и/или философии до поступления в аспирантуру, освобождаются от прослушивания соответствующих дисциплин.

**     1.Факультативные дисциплины могут быть предназначены для освоения аспирантом на добровольной основе дополнительных образовательных профессиональных программ, предусмотренных в нормативных документах для изучения на уровне послевузовского профессионального образования., и получения квалификации “Преподаватель высшей школы” или других дополнительных квалификаций.

2. Аспирантам, желающим получить дополнительную квалификацию “Преподаватель высшей школы”, могут быть перезачтены теоретические курсы цикла ФД.А.00, изучавшиеся ранее.

*** В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 30 января 2002 г. №74 “Положение о порядке присуждения ученых степеней” перечень кандидатских экзаменов устанавливается ВАК России и утверждается Минобразованием России.

Часы на подготовку и проведение экзаменов итоговой аттестации - кандидатских экзаменов (ИА.А.01-ИА.А.03) включены в общую трудоемкость изучаемых дисциплин.

 

5. СРОКИ ОСВОЕНИЯ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ

01.04.10 – Физика полупроводников

 

5.1. Срок освоения основной образовательной программы подготовки аспиранта при очной форме обучения 156 недель, в том числе:

 

-      образовательная программа подготовки  – 20 недель (1080 часов);

-      программа научно-исследовательской

подготовки, включая оформление

и представление диссертации                              – 120 недель (6480 часов);

-      каникулы                                              не менее – 16 недель.

 

5.2. Лицам, окончившим аспирантуру, предоставляется месячный отпуск в случае выполнения следующих требований:

 

-      - полностью выполнен индивидуальный учебный план;

-      - сданы кандидатские экзамены по философии, иностранному языку и специальной дисциплине;

-      - завершена работа над диссертацией и оформленная диссертация представлена в Диссертационный совет.

 

 

 

6. УСЛОВИЯ РЕАЛИЗАЦИИ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТАПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ

01.04.10 – Физика полупроводников

 

6.1. Основная образовательная программа подготовки аспирантов сформирована с учетом следующего: максимальный объем учебной нагрузки аспиранта в период теоретического обучения устанавливается  в размере 54 часа в неделю, включая все виды аудиторной и внеаудиторной (самостоятельной) работы.

6.2. Требования к условиям реализации основной образовательной программы аспиранта.

6.2.1. Требования к кадровому обеспечению.

Научное руководство аспирантами и соискателями осуществляют 1 доктор наук по специальности 01.04.10 – Физика полупроводников.

6.2.2. Требования к учебно-методическому обеспечению.

Учебно-методическое и информационное обеспечение учебного процесса должно гарантирует возможность качественного освоения аспирантом основной образовательной программы. Кафедра располагает обширной библиотекой, включающей научно-техническую литературу по физике конденсированного состояния, научные журналы и  труды конференций, а также имеет три современных персональных компьютера с подключением к сети Internet.

6.2.3. Требования к материально-техническому обеспечению.

Кафедра располагает материально-технической базой, соответствующей действующим санитарно-техническим нормам и обеспечивающей проведение всех видов теоретической и практической подготовки, предусмотренных учебным планом аспиранта, а также эффективное выполнение диссертационной работы.

Материально-техническая база включает

6.2.4. При реализации п.п. 6.2.2, 6.2.3 могут быть использованы возможности других организаций, таких как ГОУ ВПО «Самарский государственный аэрокосмический университет».

 

7. ТРЕБОВАНИЯ К УРОВНЮ ПОДГОТОВКИ ЛИЦ,

УСПЕШНО ЗАВЕРШИВШИХ ОБУЧЕНИЕ В АСПИРАНТУРЕ

ПО СПЕЦИАЛЬНОСТИ

01.04.10 – Физика полупроводников

 

7.1. Требования к знаниям и умениям выпускника аспирантуры

7.1.1.  Общие требования к выпускнику аспирантуры

Выпускник аспирантуры должен быть широко эрудирован, иметь фундаментальную научную подготовку, владеть современными информационными технологиями, включая методы получения, обработки и хранения научной информации, уметь самостоятельно формировать научную тематику, организовывать и вести научно-исследовательскую деятельность по избранной научной специальности.

7.1.2.Требования к научно-исследовательской работе аспиранта

Научно-исследовательская часть программы должна:

соответствовать основной проблематике научной специальности, по которой защищается кандидатская диссертация;

быть актуальной, содержать научную новизну и практическую значимость;

основываться на современных теоретических, методических и технологических достижениях отечественной и зарубежной науки и практики;

использовать современную методику научных исследований;

базироваться на современных методах обработки и интерпретации данных с применением компьютерных технологий;

содержать теоретические (методические, практические) разделы, согласованные с научными положениями, защищаемыми в кандидатской диссертации.

7.1.3. Требования к выпускнику аспирантуры по специальным дисциплинам, иностранному языку и философской дисциплине определяются программами кандидатских экзаменов и требованиями к квалификационной работе (диссертации на соискание ученой степени кандидата наук).

7.2. Требования к итоговой государственной аттестации аспиранта

7.2.1. Итоговая аттестация аспиранта включает сдачу кандидатских экзаменов и представление диссертации в Диссертационный совет.

·         Порядок проведения кандидатских экзаменов устанавливаются Положением о подготовке научно-педагогических и научных кадров в системе послевузовского профессионального образования в Российской Федерации. Образовательные учреждения и научные организации, реализующие программы послевузовского профессионального образования, вправе включать в кандидатский экзамен по научной специальности дополнительные разделы, обусловленные спецификой научной специальности или характера подготовки аспиранта.

·         Требования к содержанию и оформлению диссертационной работы определяются Высшей аттестационной комиссией Министерства образования Российской Федерации (ВАК России).

7.2.2.Требования к итоговой государственной аттестации (порядок представления и защиты диссертации на соискание степени кандидата наук) разрабатываются Высшей аттестационной комиссией Министерства образования Российской Федерации (ВАК России).

 

8. ДОКУМЕНТЫ, ПОДТВЕРЖДАЮЩИЕ ОСВОЕНИЕ ОСНОВНОЙ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ ПОДГОТОВКИ АСПИРАНТА

.

8.1. Лицам, полностью выполнившим основную образовательную программу при обучении в аспирантуре в образовательных учреждениях и научных организациях, реализующих программы послевузовского профессионального образования, и прошедшим итоговую аттестацию выдается удостоверение.

8.2. Лицам, полностью выполнившим основную образовательную программу послевузовского профессионального образования и успешно прошедшим государственную итоговую аттестацию (защитившим диссертацию на соискание ученой степени кандидата наук), выдается диплом кандидата наук, удостоверяющий присуждение искомой степени.