Список основных научных и учебно-методических трудов

Комова Александра Николаевича

Наименование

Характер работы

Выходные данные

Объем

Соавторы

1

2

3

4

5

6

1.

Тезисы Structures SiC on Si for the High Temperature Scmiconductor Sensors

печ .

Third International High Temperature Electronics Conference USA 1996 г .

Р. 212

Чепурнов В.И., Ловеская С.Г., Растегаев

2.

Статья Grow th of Heteroepitaxial 3C-SiC Rayers using as Sorisce Solid Phases of C.

 

Congrese Controll-Palais Musiguc et des Congres-Strasburg (Frunce) June 4-7 1996 г .

23

Растегаев , Чепурнов

3.

Статья Разработка электроразрядных технологий модифицирования поверхностей металлов и полупроводников в воздухе атмосферного давления

печ .

Депонирование 1997 г. ВИНИТИ № 2994-1397 от 07.11.97

30 стр.

Журавлев О.А., В.В.Ивановченко А.В., Сашкина Н.В.

4.

Статья Структура и состав пленок кубического карбида кремния полученных методом химических транспортных реакций с использованием твердофазного свободного кремния и углерода

печ .

Ж. Поверхность. № 11. 1998 г.

Стр. 117-123

Атажанов Ш.Р., Костишко Б.М., Чепурнов В.И.

5.

Электронагреватель

 

полезная модель №96100337 от 22.01.96

зарегистр . 16/ Iv 97

Печ .

Дорофеева Л.Л., Глыбин Д.Е.

6.

Тезисы Гетероэпитак-сия карбида кремния на кремниевом носителе

печ .

Международная конференция Нов-город, май 1997 г.

стр. 25

Атажанов Ш.Р., Чепурнов В.И.

7.

Электронагреватель

 

Полупроводниковый карбид кремния и приборы на его основе. Полезная модель. №96122905 от 3.12.96. решение 28.05.97

 

Дорофеева Л.Л.

8.

Статья Гетероструктуры карбида кремния на кремнии как высокотемпературный материал для УП датчиков

печ .

Межвузов . Сборник Технические средства исследования мирового океана Владивосток 1996.

стр. 52-57

Чепурнов В.И. и др.

9.

Тезисы Новые материалы для пп автомобильных датчиков

печ .

Тезисы Международной научно-практической конференции Проблемы развития автомобилестроения в России 1-3 октября 1997. г .Тольятти

стр. 45

Чепурнов В.И., Лосевская С.Т.

10.

Статья Быстрая высокотемпературная карбонизация как метод стабилизации светоизлучающих свойств пористого кремния

печ .

Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники .. Труды 5-й Всерос. конфер. 1998 г. Таганрог.

С.17-19

Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р.

11.

Тезисы Полупроводниковая структура β - SiC / Si для экстремальной электроники автомобильных датчиков

печ .

Труды 5-ой Всероссийской конференции с международ. Участием Девноморск 6-11 сентября 1998 г. Таганрог

стр. 149

Чепурнов В.И., Атажанов Ш.Р.

12.

Статья Высокотемпературные активные элементы для работотехнических систем

печ .

Сб. Современные проблемы автомотизированного производства. Самара. Техн. универ. г .Самара 1993 г. Депонир ВИНИТИ 04.11.98 г. № 3198 УДК 621875

6 стр.

Чепурнов В.И.

13.

Учебное пособие Физические основы полупроводниковой электроники

 

СамГУ, 1998 г.

10 п. л.

 

14.

Статья Фотостимулирование обработки металлов и полупроводников в атмосфере азотированного воздуха

печ .

Труды VIII Межнационального совещания Радиоционная физика твердого тела Севастополь 29 июня 4 июля 1998 г. Москва

стр. 599 -603

Ивченко А.В.

15.

СВЧ измерение высоких температур полупроводниковым термопреобразователем

 

Методы и средства измерений физических величин. Тез . доклада IV Всероссийской НТК 16-17 июля 1999 г. Часть 1, Нижний Новгород

стр. 25

В.И. Чепур-нов

16.

Тезисы Стимулированные электронные облучения процессы в коранизированном пористом кремнии

печ .

Атуальные проблемы тверд. Теськой электр . и микроэлектроники труда. 6-ая Междунар. конфер. 1999 г.

1 стр.

Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Ноторнов Ю.С.

17.

Тезисы Выращивание гетероэпитаксиальных слоев 3С- SiC пор Si из твердофазных источников и исследование их структурных свойств.

печ .

III -Международный научный семинар карбид кремния и родственные материалы ISSCRM -2000 Великий Новгород. Май 2000

стр. 43

Атажанов Ш.Р., Атажанова Л.В., Миков С.Н.

19.

Тезисы Оптические преобразователи на основе гетероструктры β - SiC / Si

печ .

III - Междуна-родный научный семинар карбид кремния и родственные материалы ISSCRM -2000 Великий Новгород. Май 2000

стр. 123

Лосевская С.Г., Чепурнов В.Ч., Егоров С.В.

20.

Статья Tenzoconvertors on Hetero-structurs β-SiC/Si

 

III International Seminar on Silicon Carbide Rebater Materials May 2000 Novgorod the Greit Russia

133-134

V.I. Chepurnov,

T.P. Fridman

21.

Статья Thermo-sensors on the stright bios Barrier of the structure β-SiC/Si

 

III International Seminar on Silecon Corbide Rebater Materials May 2000 Novgorod the Greit Russia

131-132

V.I. Chepurnov,

T.P. Fridman

22.

Статья СВЧ чувствительные полупроводниковые преобразователи на структуре β - SiC / Si

печ .

Труды седьмой Международной научно-технической конференции. Часть II Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Тагонрог. 2000 г.

стр. 131-133

Чепурнов В.И.

23

Воздействие лазерного излучения на полупроводниковые структуры в газовой среде

Печ .

Физика волновых процессов и радиотехнические системы, 2000. Т. 3.

53-56

Дорофеева Л. Л., Лосевская С. Г., Кивран Ю. В.

24

Монография Гальваномагнитные СВЧ преобразователи

печ .

Из-во Радио и связь, М. 2000 г.

266 с.

Трещев В.М., Яровой Г.П.

25

Статья Радиоэлектрический эффект в структурных SiC / Si в 3-х см. диапазоне.

 

печ .

 

Изд. вузов. Электроника №1. 2001

76-79

Чепурнов В.И.

 

26

Статья Бифункциональный датчик температуры деформации для теплофизических измерений

Печ.

4 международная теплофизическая школа, 24-28 сентября 2001 г., г. Тамбов

4 стр.

Чепурнов В.И.,

Фридман Т. П.

27

Электронное устройство для индикации местонахождения поезда

 

Полезная модель № 2001121854/20 от 03.08.2001

 

Шангин В. В., Щербак А. В.

28

Практикум по курсу

Физика полупроводников

 

печ.

г. Куйбышев Госуниверситет

1985 г.

 

3,25

п. л.

 

В.Н. Алимпиев.

В.А. Покоева. В.А. Рожков.

29

Практикум по измерению параметров полупроводниковых материалов

печ.

 

г. Куйбышев Госуниверситет

1985

2.75

п. л.

В.А. Покоева.

30

Тезисы Метод радиоЭДС для измерения электрофизических параметров полупровод. структур SiC / Si

печ .

Методы и средства измерений средних величин. Тез . доклада IV Всероссийской НТК 16-17 июля 1999 г. Часть 1, Нижний Новгород

стр. 26

Чепурнов В.И., Болумревич Т.А.

31

Тезисы Стимулированные электронные облучения процессы в коранизированном пористом кремнии

печ .

Атуальные проблемы тверд . теськой электр. и микроэлектроники труда. 6-ая Междунар. конфер. 1999 г.

1 стр.

Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Ноторнов Ю.С.

32

Статья Фотостимулирование обработки металлов и полупроводников в атмосфере азотированного воздуха

печ .

Труды VIII Межнационального совещания Радиоционная физика твердого тела Севастополь 29 июня 4 июля 1998 г. Москва

стр. 599 -603

Ивченко А.В.

33

Тезисы Выращивание гетероэпитаксиальных слоев 3С- SiC пор Si из твердофазных источников и исследование их структурных свойств

печ .

III -Международный научный семинар карбид кремния и родственные материалы ISSCRM -2000 Великий Новгород. Май 2000

стр. 43

Атажанов Ш.Р., Атажанова Л.В., Миков С.Н.

34

Практикум по технологии полупроводниковых материалов и приборов

 

печ.

г. Куйбышев Госуниверситет

1983 г.

4,25

п. л.

В.А. Покоева

 

35

СВЧ полупроводниковая электроника

Печ.

Из-во Радио и связь, М. 2007 г., 151 с.

Яровой Г.П.

36

Практикум Полупроводниковая СВЧ-электроника

Печ.

СамГУ, 2008 г., 36 с.

Щербак А.В., Курганская Л.В.

37

Кинетические явления в полупроводниках Учебное пособие

Печ.

Самара, 2009 г., 64 с.

38

ТермоЭДС в гетероструктурах карбида кремния на кремниевой подложке в области сверхвысоких частот

Печ.

Вестник СамГУ, Физика, 2004 г., с. 85-93, 65-84 с.

Чепурнов В.И., Трещев В.М., Яровой Г.П.