Тематика научных исследований :

 

Список научных трудов Покоевой Валентины Алексеевны 

 

п/п

 

Название

 

Печатли на правах рукописи

Изд.-во,журнал (назван.,номер)

Кол-во печат. страниц

Фамилии соавторов

1

О влиянии адсорбции примеси на форму диффузионной кривой

Печ.

Физика твердого тела,1972,т.14,в.12,с.3678-3680

3

Малкович Р.Ш.

2

Влияние меди на диффузию фосфора в кремнии

Печ.

ФТП,1976,т.10,в.4,с.755-757

3

Болтакс Б.И.

Малкович Р.Ш.

3

О механизме диффузии фосфора в кремнии

Печ.

ФТТ,1976,т.18,в.3,с.877-878

2

Малкович Р.Ш.

4

Диффузия золота в сильнолегированном кремнии

Печ.

ФТТ,1976,т.18,в.9,с.2606-2610

5

Малкович Р.Ш.

5

Диффузия кобальта в в сильнолегированных диффузионных слоях фосфора и бора в кремнии

Печ.

ФТТ,1977,т.19,в.9,с.1731-1736

6

Малкович Р.Ш.

6

Влияние комплексообразования на диффузию примеси

Печ.

Сб.Физика стр-ры и св-в твердых тел, КГУ, Куйбышев,1977,в.2,с.34-38

5

Малкович Р.Ш.

7

Impurity diffusion with complex formation

Печ.

Phys.stat.sol.(b),1977,82,№2,p.421-428

8

Malkovich R.Sh

8

Diffusion of ionized impurity in a semi-infinite semiconductor.

Печ.

Phys.stat.sol(a),1978,48,№1,p.241-248

8

Malkovich R.Sh

9

Влияние внутреннего электрического поля на диффузию ионизованной примеси в полупроводнике.

Печ.

ФТП,1978,т.12,в.8,с.1541-1546

6

Малкович Р.Ш.

10

Диффузия заряженной примеси в полупроводнике.

Печ.

ЖТФ,1979,т.49,в.1,с.47-54

8

Малкович Р.Ш.

11

Диффузия примесей в сильнолегированных диффузионных слоях фосфора и бора в кремнии

Печ.

Тезокл. IY Всесоюз. конф.по физ.-хим. o снов. легиров. полупров. мат..

Мкт.1979,с.73

1

Малкович Р.Ш.

 

12

 

 

 

Программа решения одномерного нелинейного уравнения диффузии (теплопроводности) в полубеск. и бесконеч. среде по итерац. схеме с использ. формулы Больцмана

Печ.

П 003486 Алгоритмы и программы, 1979,№2,с.23

1

Малкович Р.Ш.,

Литовский М.А.

13

Разработка полупровод. термочувствит. элементов для прециз. измерения температуры.

Печ.

Отчет, Куйбышев, КГУ,1979, №Б819121

53

Горохова Л.Н.

Чепурнов В.И.

Ленивкина И.В.

Шмалев М.В.

14

О влиянии окисления на диффузию фосфора в Si .

Печ.

Сб.Физика стр.-ры и св-в тв. тел, Куйбышев, КГУ,1979,в.3, с.26-28.

3

Малкович Р.Ш.

15

Замечания относительно математического анализа диффузии заряженной примеси в полупроводнике.

Печ.

ФТП,1981,т.15,в.4,с.827-828

2

Малкович Р.Ш.

16

Разработка полупровод. избират.-чувствит. элемента специального назначения.

Печ.

Отчетуйбышев, КГУ, 1981, № 72732

68

Чепурнов В.И.

Кочетков В.Ю.

Переверзева О.

17

Диффузия примесей в условиях комплексообразования

Печ.

ЖФХ,1982,т. IYI ,в.10,с.2594-2597

4

Малкович Р.Ш.

18

Практикум по технологии полупроводниковых материалов и приборов

Печ.

Куйбышев, КГУ, 1983

67

Комов А.Н.

19

Диффузия и растворимость золота в сильнолегированном кремнии

Печ.

Сб.Физика стр-ры и свойств твердых тел, Куйбышев,КГУ,1984, с.3-17.

15

Малкович Р.Ш.

20

Практикум по физике полупроводников

Печ.

Куйбышев, КГУ, 1985

53

Комов А.Н.

Рожков В.А.

21

Практикум по измерению параметров полупроводниковых материалов.

Печ.

Куйбышев, КГУ, 1985

38

Комов А.Н.

22

Анализ и оптимизация технологического процесса изготовления тиристоров средней мощности

Печ.

Отчетуйбышев,КГУ, 1986, № Y 12954

67

Дорофеева Л.Л.

Чепурнов В.И.

23

Диффузия заряженной примеси в полупроводнике при геттерировании на поверхности.

Печ.

Сб.Влияние внешних воздействий на стр-ру и св-ва тв. тел, Куйбышев, КГУ,1987.

5

Бехтина С.Ю.

24

Одновременная диффузия двух заряженных примесей в полупроводнике с учетом внутреннего электрического поля.

Рук..

ДепНИИ Электроника,1988,Р-4797

13

-

25

Исследов. метрологических характеристих полупровод. чувствит. элементов термометров сопротивления

Печ.

Отчетуйбышев, КГУ, 1988, № Y19338/

98

Чепурнов В.И.

Лосевская С.Г.

Садыков Р.Р.

Рыбаков О.В.

26

Диффузия заряженных примесей в полупроводниках

Печ.

ФТП, 1988, т.22,в.12, с.2246-2247

2

-

27

Влияние внутреннего электрического поля на одновременную диффузию двух разноименно заряж. примесей в полупроводнике

Печ.

Сб.Влияние внеш. возд. на стр-ру и св-ва тв. тел, Куйбышев, КГУ, 1988, с.20-27.

8

-

28

Simultaneous diffusion of charged impurities in semiconductor under consideration of the built-field

Печ.

Abstracts of the Internat.Conf. Balatonfured , Hungary , Sept, 1988, р .208.

1

-

 

29

Математическое моделирование диффузии взаимодействующих. примесей в полупроводнике

Печ.

Тез.доклсесщюз.школы Диффузия и дефекты, Свердловск, 10-18 июня, 1989.

1

Топоркова Л.В.

30

Электрические исследов. полупроводникового карбида кремния

Рук.

Отчетуйбышев,КГУ, 1990 , № 01890036178

49

Чепурнов В.И.

Лосевская С.Г.

Садыков Р.Р.

31

Практикум по микроэлектронике, ч.!.

Печ.

Куйбышев, КГУ, 1990

60

Комов А.Н.

32

Simultaneous diffusion of charged impurities in semiconductors under consideration of the built-field

Печ.

Proceedings of the Internat. Conf. Hungary ,Sci-Tech. Public.Ltd, 1990, p/1349-1356/

7

-

33

Математическое моделиров диффузии примеси из тонкой пленки в легирован. Полупроводник.

Печ.

Тезокл. X У II Куйб. област. студ. науч. конф., Куйбышев, апр.1991, с.42-43.

2

Берестнева О.А.

34

Modelling of Impurity Diffusion in Metals and Semiconductors under the Influence of External Fields/

Печ.

Abstracts of Internat.Conf. on Diffusion and Defects in Solids. DD-91, Abstracts II, 26 Yuni,1991, USSR , p.89.

1

Pokoev A.V.

35

Ionized Impurity Diffusion in Metals and Semiconductors under the Influence of External Fields.

Печ.

Phys.stat.sol (b),169, K1-K6, 1993

7

-

36

Сборник задач и вопросов по дисциплинам спец-ции Физика полупроводников и диэлектриков

Печ.

Самара, СамГУ, 1994

28

Комов А.Н.

Рожков В.А.

37

Получение и исследование гетероструктур карбида кремния на кремнии с целью разработки высокотемперат. полупровод. датчиков.

Печ.

Сб.Технические средства исследования Мирового океана, Владивосток, 1994, с.43-46.

4

Комов А.Н.

Чепурнов В.И.

38

Гетероструктуры карбида кремния на кремнии как высокотемпературный материал для п/п-ых датчиков

Печ.

Сб.Технические средства исследования Мирового океана, Владивосток, 1996, с.52-57

6

Комов А.Н.

Чепурнов В.И.

39

Диффузия примесных атомов в п/п-ых гетероструктурах под действием внутреннего электрического поля

Печ.

Тезисы докл. XXYIII науч. студ. конф., Самара, СамГУ, 1997, с.57.

1

Блынских Н.В.

40

Методические разработки по курсу Основы кристаллографии.

Печ.

Самара, СамГУ, 1997

20

-

41

Численное моделирование легирования гетеростр-ры карбида кремния на кремнии в процессе эпитакс. наращивания.

Печ.

Тезисы докл. III Всерос. науч.-техн.конф., Н.Новг., 17-18 июня 1998, ч. Y ,с.34

1

Бортник М.И.

42

Диффузия примесных атомов в п/п-ых гетероструктурах под действием внутреннего электрического поля.

Печ.

Тезисы докл. III Всерос. науч.-техн.конф., Н.Новг., 17-18 июня 1998, ч. Y ,с.35

1

Нестерова Н.В.

43

Численное моделирование диффузии примесей в процессе выращивания эпитаксиальных структур SiC / Si .

Печ.

Тезисы докл. III Всерос. науч.-техн.конф., Н.Новг., 1999г., ч. XYI , с.25.

1

Бородина Г.А.

44

Численное моделирование диффузии в п/п-ых стр-рах с учетом образов. комплексов между примесными ионами.

Печ.

Тезисы докл. III Всерос. науч.-техн.конф., Н.Новг., 1999г., ч. XYI , с.26.

1

Козлова И.А.

45

Одновременная диффузия Ga , P и В в п/п-ой стр-ре SiC /р- Si .

Печ.

Тезисы докл. XXXII науч. конфтуд., апр. 2001г., с. 142-143

2

Лапова Ю.А.

46

Практикум по физике п/п-ов и диэлектриков.

Печ.

Самара, СамГУ, 2001 г.

68

Комов А.Н.

Латухина Н.В.

47

Комплексообразование и диффузия примесей в процессе выращивания гетероструктуры SiC на Si

Печ

Труды международ. конф.Оптика,оптоэлектроника и технологии, Ульяновск,2002г.,с.1 5

1

Брыткова Е.А.

48

Диффузионное легирование структуры SiC / Si взаимодействующими примесями

Печ

Труды международ. конф.Оптика,оптоэлектроника и технологии, Ульяновск,2002г.,с.1 6

1

Маркелов Д.А.

49

Разработка автоматизированного измерительного комплекса для контроля температуры жидкого металла на основе высокочувствительных и малоинерционных датчиков

Рук.

Отчет о научно-исследовательской работе. №госег.02.04.03, Самара,СамГУ,2003г.

44

Чепурнов В.И. Щербак А.В.

50

Одновременная диффузия галлия и фосфора в полупроводниковой структуре SiC / Si

Печ

Труды международонф. Оптика, оптоэлектроника и технологии, Ульяновск, 2003г..163

1

Лапова Ю.В.

51

Диффузия и образование комплексов между ионами примесей в процессе легирования структуры SiC / n - Si

Печ

Труды YI международ. конф. Опто-, наноэлектроника и микросистемы, Ульяновск-Сочи,2004г., с.127

1

Волчкова А.В.

52

Легирование полупроводниковой структуры карбида кремния на кремнии фосфором и бором с учетом влияния внутреннего электрического поля

Печ

Труды YI международ. конф. Опто-, наноэлектроника и микросистемы, Ульяновск-Сочи, 2004г., с.128

1

Автаев М.В.

53

Анализ и исследование существующих технологий выращивания монокристаллических слоев на кремниевой пластине.

Рук

Отчет о научно-исследовательской работе. Самара, СамГУ,2004

80

Комов А.Н. Чепурнов В.И. и др.

54

Моделирование процесса диффузионного легирования ионизованными примесями полупроводниковой структуры пленка-подложка с учетом внутреннего электрического поля

Печ

Труды YII Международ. конф.Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, Ульяновск,УлГУ,2005,

с.13

1

Самыловский А.В.

55

Одновременная диффузия примесей в полупроводниковой структуре SiC/p-Si с учетом их взаимодействия

Печ

Труды YIII Международ. конф.Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, Ульян,УлГУ,2006, c.17

1

Лысова Н.А.

56

Особенности диффузионного легирования структуры SiC/Si для полупроводниковых СВЧ-датчиков фосфором и бором под действием внутреннего электрического поля

Печ

Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2007,т.11,в.2, с.110-114

5

Сивакова К.П.

57

Особенности легирования структуры SiC/Si для полупроводниковых СВЧ-датчиков

Печ

Труды IX Международ. конф.Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, Ульяновск,УлГУ,2007, c.118

1

Сивакова К.П.

58

Учебное пособие Диффузионные процессы в микроэлектронной технологии

Печ

Самара, СамГУ, 2008, 45стр

45

Чепурнов В.И., Сивакова К.П.

59

Математическое моделирование диффузионного легирования структуры 3С-SiC/Si для полупроводниковых преобразователей

Печ

Труды методологической школы-конференцииматематическая физика и нанотехнологии, 5окт-6нояб 2009 г., Самара,2009, с.79-82.

4

Сивакова К.П.

60

Одновременная диффузия фосфора и бора в растущей эпитаксиальной структуре SiC/n-Si под действием встроенного электрического поля

Печ

Труды XII Международ. конф.Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, Ульяновск,УлГУ,июнь 2010, c.18

1

Гогонов Л.В

61

Особенности диффузионного легирования растущей эпитаксиальной структуры SiC/p-Si в процессе загонки и разгонки примесей бора и фосфора

Печ

Труды XIII Международ. конф.Опто-,наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы, Ульяновск,УлГУ, 2011, c.27

1

Щербак А.В.