Шалимова Маргарита Борисовна

Основные труды


1. Рожков В.А., Шалимова М.Б., Романенко Н.Н. Элемент памяти. АС № 1585834 15.04.90 г. Приоритет от 1.11.88 г. по заявке № 4601805.

2.Рожков В.А., Шалимова М.Б. Электрическое переключение проводимости с памятью в кремниевых МДП - структурах с диэлектриком из фторида эрбия // ФТП.- 1993. - Т. 27, № 3. - С. 438-445.

3. Рожков В.А., Шалимова М.Б. Эффект электрического переключения проводимости с памятью в структуре Al-DyF 3-Si // Письма в ЖТФ.- 1992. - Т. 18, Вып. 5. - С. 74-77.

4. Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А., Романенко Н.Н., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из оксидов редкоземельных элементов для кремниевых фотоэлектрических приборов // Письма в ЖТФ.- 1992.-Т.18, Вып. 10.-С. 54-58.

5. Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А., Романенко Н.Н., Шалимова М.Б. Просветление и пассивация кремниевых фотоэлектрических преобразователей пленками оксидов редкоземельных элементов. //Гелиотехника.- 1992. - № 5.-С. 13-16.

6. Рожков В.А., Петров А.И., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из фторидов эрбия, неодима и гадолиния // Письма в ЖТФ. - 1993. - Т. 19, Вып. 19.- С. 10-14.

7. Rozhkov V.A., Shalimova M.B. Electrical switching of the resistance with memory in silicon MIS structures with erbium fluoride as the insulator // Полупроводники . 1993. Т. 27. – С. 245 – 249.

8. Рожков В.А., Петров А.И., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из фторидов иттрия, церия и тербия для кремниевых фотоэлектрических приборов. // Письма в ЖТФ. - 1994.-Т.20, Вып. 12. - С. 43-47.

9. Рожков В.А., Петров А.И., Шалимова М.Б. Просветляющие покрытия из фторидов лантана, самария и диспрозия для кремниевых фотоэлектрических приборов // Известия ВУЗов. Физика. - 1994.- № 4. - С. 7-10.

10. Аношин Ю.А., Петров А.И., Рожков В.А., Шалимова М.Б. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов // Журнал технической физики. -1994.- Т. 64, № 10.- С. 118-123.

11. Rozhkov V.A., Shalimova M.B. The conduction bistable switching effect in the structure with rare earth fluorides // The Dielectrics Society 28 th Annual Conference. Charges in Solid Dielectrics. - Darwin College , University of Kent at Canterbury . 7 - 9 April 1997. - P. 3.16.

12. Рожков В.А., Шалимова М.Б. Переключающие кремниевые структуры с фторидами редкоземельных элементов // Письма в ЖТФ, 1998. Т. 24, № 16. С. 91 - 95.

13. V. A. Rozhkov, B. Shalimova. Electrophysical properties of the switching MIS - structures with RII fluorides //Dielectric and related phenomena. DPR ў 98. Abstracts. Szczyrk , Poland 24 - 27 September 1998.Technical University of Ł уd ź Branch in Bielsko - Bia ła Textile Institute. P. 205. . 1

14. В. А. Рожков, М. Б. Шалимова. Электрофизические свойства переключающих слоистых структур на основе пленочных фторидов редкоземельных элементов //ФТП, 1998. Т. 32, № 11. С. 1349 - 1353.

15. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Фотоэлектрические явления в переключающих кремниевых структурах с фторидами редкоземельных элементов //ФТП, 1999, том 33, вып. 7. С. 795 - 800.

16. В.А. Рожков, М.Б. Шалимова. Спецпрактикум по физике полупроводниковых приборов: Учебное пособие. Самара: Изд-во «Самарский университет», 1999. 167 с.

17. Rozhkov V.A., Petrov A.I., Rodionov M.A., Shalimova M.B., Pashin A.V., Guryanov A.M. Antireflection and Passivating Coatings on the Basis of Rare Earth Element Oxides for Silicon Devices // Вестник СамГУ , 2004, №4 (34). С . 112 – 124.

18. М.Б. Шалимова, Н.В. Щербакова. Параметры границы раздела и механизмы протекания тока в структурах металл – туннельно тонкий фторид церия (неодима, диспрозия) – кремний // Письма в ЖТФ, 2005, том. 31, вып. 2. С. 27 – 33.

29. М.Б. Шалимова, Е.Г. Бесчасная. Коррекция метода вольт-амперных характеристик для определения плотности поверхностных состояний в системе германий – фторид редкоземельного элемента // ФТП. – 2007. – Т. 41, вып. 8. – С. 920-923.

20. М.Б. Шалимова, О.Н. Будкевич. Изменение свойств МОП – структур с оксидами редкоземельных элементов под действием деформации // Физика диэлектриков (Диэлектрики – 2008): Материалы XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 3 – 7 июня 2008 г. Т. 1. – СПб.: Изд-во РГПУ им А.И. Герцена, 2008. – с. 414 – 416.

21. М.Б. Шалимова. Физические основы электрических и магнитных явлений: учебное пособие для самостоятельной работы студентов механико-математического факультета СамГУ по курсу общей физики / М.Б. Шалимова; Федеральное агентство по образованию. – Самара: Издательство «Самарский университет», 2008. – 56 с.

22. М.Б. Шалимова. Основные законы оптики и квантово – волновые явления: учебное пособие для самостоятельной работы студентов механико-математического факультета СамГУ по курсу общей физики / М.Б. Шалимова; Федеральное агентство по образованию. – Самара: Издательство «Самарский университет», 2009. – 96 с.

23. М.Б. Шалимова, А.М. Ефремов. Вызванное адсорбцией влаги изменение параметров МОП – структур с оксидами редкоземельных элементов // Физика диэлектриков (Диэлектрики – 2011): Материалы XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 23 – 26 мая 2011 г. Т. 1. – СПб.: Изд-во РГПУ им А.И. Герцена, 2011. – с. 393 – 395.

24. М.Б. Шалимова, А.В. Шеянова. Модификация процесса электрической деградации МОП – структур с high-k диэлектриками в условиях повышенных температур // Физика диэлектриков (Диэлектрики – 2011): Материалы XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 23 – 26 мая 2011 г. Т. 1. – СПб.: Изд-во РГПУ им А.И. Герцена, 2011. – с. 396 – 398.

25. М.Б. Шалимова. Физические принципы работы и технологии интегральных схем: Электронный учебник / М.Б. Шалимова http://dls.ssu.samara.ru – 2011.

26.M.B. Shalimova, E.N. Khavdey. Change the Properties of Silicon and Germanium Structures with Films of Oxide and Fluoride Rare Earth Elements when External Impacts / Chapter in the book “Germanium: Properties, Production and Applications” - New York: NOVA, 2012, - p. 187 - 231. https://www.novapublishers.com

27.М.Б. Шалимова, В.С. Афанасков, Е.Н. Хавдей. Механизмы деградации электрофизических характеристик МОП-структур с high-k диэлектриками // Вестник СамГУ – Естественнонаучная серия – 2013 - №3 (104) – с. 107 – 119.